近日，大族激光接受机构调研时表示公司前三季度，公司龙头产品机械钻孔机销量持续增长,多品类LDI设备、CO2激光钻孔设备等激光产品以及定制化高精度测试机份额快速提升，整体竞争力慢慢地加强，业务相较去年同期实现大幅增长。

  三季度以来，PCB行业延续了上半年的高景气度，大客户下单仍比较积极。按照每个客户的扩产情况去看，公司PCB业务有望延续良好的增长势头。后续,公司将通过加强完善高端产品的性能，拓展高端市场,提升市场份额。

  大族激光表示在激光器、切割头、数控系统、电机等核心部件上，均具备自产能力，核心部件自产率超过90%。

  近年来，公司大功率光纤激光器的自产率正逐步提升。2020年前三季度,公司搭载自制高功率激光器的设备出货量超过400台。随公司高功率激光器自制比例的提升,有望带来成本规模效应的进一步加强。

  前三季度，半导体行业激光类封测设备进入多家封测行业领先企业供应商序列，逐步获得客户订单；光伏行业激光类设备收入快速增长。

  关于光刻机项目，大族激光表示目前项目进展顺利，现阶段生产的光刻机分辨率3-5μm，主要聚焦在5G通讯配套分立器件、LED、Mini/Micro-LED新型显示等方面的应用，已经实现小批量销售。

  那么，目前有哪些中国企业在研究光刻机？光刻机是一个高精度高复杂集百年工业制造之结晶的一种高科技产品，目前除了荷兰的阿斯麦能够批量生产7nm光刻机之外，基本上再没有一点一家公司有着这样雄厚的技术实力。我国目前也仅有五家企业在研究，并且各自有各自的领域优势。

  上海微电成立于2002年3月，是我国国内唯一能够做光刻机的企业。上海微电已经量产的光刻机中，性能最好的是SSA600/200工艺，能达到90nm的制程工艺，相当于2004年奔四CPU的水平。因此，国内晶圆厂所需要的高端光刻机完全依赖进口。

  目前，最先进的光刻机是ASML的极紫外光刻（EUV），用于7nm、5nm光刻技术，对于EUV光刻关键技术，国外进行了严重的技术封锁。我国在2017年，多个科研单位合作经过7年的潜心钻研，突破了EUV关键技术。根据有关的资料披露，计划2030年实现EUV光刻机国产化。

  上海微电子设备公司已生产出90纳米的光刻机设备，这也是生产国产光刻机的最高技术水平，比ASML公司差不多有10年的差距。因为西方国家有签协议，芯片核心部件材料不能出口到中国，实施封锁政策，导致国产光刻机发展缓慢，上海微电子克服困难自己生产这些零部件。目前产出的光刻设备已用到很多的国产企业中，而且国家也在对封锁进行联合公关，相信不久就可以向45nm、28nm迈进。

  中科院光电所研发出365纳米波长，曝光分辨率达到22纳米的光刻机，是近紫外的光线，离极紫外还有一点差距。光刻机的波长决定了芯片工艺的大小，波长越短，造价越高。像ASML最先进的EUV极紫外光刻机，波长只有13.5纳米，可以生产10nm、7nm的芯片。现在通常用的是193纳米波长的光刻机，分辨率却只有38纳米，而中科院研发的光刻机采用了双重曝光的技术，能够达到22纳米。不过有关专业人士也指出，这种技术只能做短周期的点线光刻，不足以满足芯片的复杂图形，后续还在一直在优化和改进中。

  合肥芯硕半导体有限公司成立于2006年4月，是国内首家半导体直写光刻设备制造商。该公司自主研发的ATD4000，已经实现最高200nm的量产。不过按照目前一手消息其已经申请破产清算，主要是光刻机对研发的投入资金实在太大，又没有成熟的产品面向市场，终究难免面临倒闭的风险。上海微电子也是通过快速占领光刻后道工艺技术，迅速占领国内80%市场占有率，才得以生存。

  无锡影速成立于2015年1月，影速公司是由中科院微电子研究所联合业内子资深技术团队、产业基金共同发起成立的专业微电子装备高科技企业。该公司已成功研制用于半导体领域的激光直写/制版光刻设备，已经实现最高200nm的量产。

  先腾光电成立于2013年4月，已经实现最高200nm的量产，在2014国际半导体设备及材料展览会上，先腾光电亮出了完全自主知识产权的LED光刻机生产技术。

  以上就是目前我国曾经或者现在还在研发光刻机的企业，在高端光刻机领域，我国的技术仍然比较薄弱，中国光刻机领域能拿的出手的还是只有上海微电子装备的产品，但是对比世界现金水平，还是远远落后，最先进的光刻机已确定进入到了7nm，5nm的阶段，台积电靠着7nm的光刻机在制造环节做的风生水起。

  中国在光刻机领域还是处于非常落后的状态，单纯依靠非公有制企业和资本，在长周期长期不盈利的情况下还是很难坚持，最终能让中国光刻机胜出的机会还是需要制（正如当年韩国制支持韩国半导体发展），国家在背后从资金、人才、政策上全力支持才有机会赶上现金水平。

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